對(duì)于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的,就像氧氣在101kPa時(shí)會(huì)呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體,發(fā)揮性較高.預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。
四氟化碳(CF4)早就是通過氟碳直接反應(yīng)法制得的,該方法經(jīng)過不斷的發(fā)展與完善, 如今已成為工業(yè)上制備全的主要的方法之一。高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產(chǎn)品,是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒,在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,在密閉容器中遇高熱有危險(xiǎn),不溶于水,可溶于苯、等部分溶劑。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中,緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼?,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。
四氟化碳(CF4)早就是通過氟碳直接反應(yīng)法制得的,該方法經(jīng)過不斷的發(fā)展與完善, 如今已成為工業(yè)上制備全的主要的方法之一。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化后,隨后通過硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,后經(jīng)精餾而得成品。
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